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Nexperia安世专注分立器件市场,其功率MOSFET产品以低导通电阻(RDS(on)低至0.5mΩ)与高雪崩能量(EAS达100mJ)著称。通过荷兰、英国、中国三大研发中心协同,实现车规级器件AEC-Q101认证全覆盖。2025年量产的氮化镓(GaN)场效应晶体管,将开关频率提升至1MHz以上,助力电源适配器效率突破95%。其自主备货策略通过东莞、菲律宾双基地生产,确保消费电子客户订单交付周期压缩至10天。
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